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新品未開封 ゼオスキン ファーミングセラム

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12870.0000円

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お肌に弾力を与え、たるみをサポート。ハリのある若々しい肌印象へ導く美容ジェルです。
ほうれい線やお顔のたるみが気になる方にはファーミングセラムがおすすめです。お肌に弾力を与え、たるみの改善をサポートします。

◉新品、未開封
◉定価　32,
◉使用期限　2024.10
◉国内クリニック購入

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商品の情報

カテゴリーコスメ・香水・美容 > スキンケア/基礎化粧品 > 美容液
ブランドオバジ
商品の状態新品、未使用
配送料の負担送料込み(出品者負担)
配送の方法らくらくメルカリ便
発送元の地域宮崎県
発送までの日数24時間以内に



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産業技術総合研究所

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1) 酸化物半導体および類縁イオン性材料の開発およびデバイス化 3) 鉛フリー圧電セラミックスの開発およびデバイス化

図2 高出力レーザーを用いた低温成長法によるｐ型酸化物半導体薄膜。不純物散乱に支配されるキャリア密度／移動度の精密制御を達成。

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図3 応力発光特性および圧電特性を融合させたMulti-Piezo材料の開発。発光センサの実用化へ向けた耐久性の向上が課題。

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【スキンケア】ゼオスキンの製品について解説!!


【皮膚科医が成分で選ぶ】ゼオスキンのおすすめ3選

  • 特許5093694, US 8193704, 特許5182857「酸化物ぺロブスカイト薄膜ＥＬ素子」
  • JP5213135「圧電セラミックス及びこれを用いた圧電・誘電・焦電素子」
  • US8354038「PIEZOELECTRIC CERAMIC, AND PIEZOELECTRIC, DIELECTRIC OR PYROELECTRIC ELEMENT USING THE SAME」
  • 特許6388804「広帯域化高感度ＡＥセンサ」
  • 特願2019-217659「超伝導位相シフター」（PCT出願、2020/11/26）
  • 特開2016-16490「バンド間位相差ソリトンの発生方法」
  • US 8902018「Method for controlling inter-component phase difference soliton and inter-component phase difference soliton circuit device」
  • US 7400282「Quantum Turing machine」
  • 特許6562321,「酸化物半導体」
  • 特許6933400，I649264（台湾）「酸化物半導体及び半導体装置」
  • 特許7037197, US 11239322, I675005（台湾）「酸化物半導体及び半導体装置」
  • M. Minohara, N. Kikuchi, K. Tsukuda, Y. Dobashi, A. Samizo, K. Nishio, X. He, T. Katase, T. Kamiya, and Y. Aiura, “Effect of intentional chemical doping on crystallographic and electric properties of the pyrochlore Bi2Sn2O7”, Materials & Design 216, 110549 (2022).
  • H. Ishizu, H. Yamamori, S. Arisawa, K. Tokiwa, Y. Tanaka, “Phase shifter based on an ultrathin superconducting bilayer with a through-hole for a superconducting device”, Physica C 595, 1354029 (2022).
  • K. Ozawa, Y. Aiura, D. Wakabayasi, H. Tanaka, T. Kikuchi, A. Toyoshima, and K. Mase, “Beamline commissioning for microscopic measurements with ultraviolet and soft X-ray beam at the upgraded beamline BL-13B of the Photon Factory”, Journal of Synchrotron Radiation 29, 400-408 (2022).
  • M. Minohara, I. Hase, and Y. Aiura, “Characteristic Electronic Structure of SnO Film Showing High Hole Mobility”, J. Phys. Chem. Lett. 13, 1165-1171 (2022).
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  • M. Minohara, S. Asanuma, H. Asai, Y. Dobashi, A. Samizo, Y. Tezuka, K. Ozawa, K. Mase, I. Hase, N. Kikuchi, and Y. Aiura, “Elaboration of near-valence band defect states leading deterioration of ambipolar operation in SnO thin-film transistors”, Nano Select 3, 1012-1020. (2021).
  • Y. Tanaka, H. Yamamori, S. Arisawa, “Effective method of forming and detecting a fractional magnetic flux quantum”, Physica C: Superconductivity and its Applications 589, 1353932 (2021).
  • A. Samizo, M. Minohara, N. Kikuchi, K. K. Bando, Y. Aiura, K. Mibu, and K. Nishio, “Site-Selective Oxygen Vacancy Formation Derived from the Characteristic Crystal Structures of Sn-Nb Complex Oxides”, J. Phys. Chem. C 125, 17117-17124 (2021).
  • M. Minohara, Y. Dobashi, N. Kikuchi, A. Samizo, K. Tsukuda, K. Nishio, K. Mibu, H. Kumigashira, I. Hase, Y. Yoshida, and Y. Aiura, "Bipolar Semiconducting Properties in α-SnWO4 based on the Characteristic Defect Structure", Inorg. Chem. 60 (11), 8035-8041 (2021).
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  • Y. Aiura, K. Ozawa, K. Mase, M. Minohara, and S. Suzuki, "Development of a high-precision XYZ translator and estimation of beam profile of the vacuum ultraviolet and soft X-ray undulator beamline BL-13B at the Photon Factory", J. Synchrotron Rad. 27, 923-933 (2020).
  • M. Minohara, A. Samizo, N. Kikuchi, K. K. Bando, Y. Yoshida, and Y. Aiura, "Tailoring the Hole Mobility in SnO Films by Modulating the Growth Thermodynamics and Kinetics", J. Phys. Chem. C 124, 1755-1760 (2019).
  • M. Minohara, N. Kikuchi, Y. Yoshida, Y. Aiura et al., "Improvement of the hole mobility of SnO epitaxial films grown by pulsed laser deposition", J. Mater. Chem. C 7, 6332-6336 (2019).
  • A. Samizo, N. Kikuchi, Y. Aiura et al., "Carrier Generation in p‑Type Wide-Gap Oxide: SnNb2O6 Foordite", Chem. Mater. 30, 8221-8225 (2018).
  • K. Shibata, R. Wang, T. Tou, J. Koruza, "Applications of lead-free piezoelectric materials", MRS Bull. 43, 612-616 (2018).
  • Y. Tanaka, H. Yamamori, T. Yanagisawa, T. Nishio, S. Arisawa, "Abnormal Meissner state in a superconducting bilayer", Physica C551, 41-47 (2018).
  • Y. Tanaka, H. Yamamori, T. Yanagisawa, T. Nishio, S. Arisawa, "An unconventional vortex state in a superconducting bilayer where one layer has a hole", Solid State Commun. 277, 39-44 (2018).
  • Y. Tanaka, H. Yamamori, T. Yanagisawa, T. Nishio, S. Arisawa, "Experimental formation of a fractional vortex in a superconducting bi-layer", Physica C 548, 44-49 (2018).
  • N. Kikuchi, A. Samizo, Y. Aiura et al., "Carrier generation in a p-type oxide semiconductor: Sn2(Nb2-xTax)O7", Phys. Rev. Maters. 1, 021601(R) (2017).
  • Y. Aiura, I. Hase, H. Kawanaka, N. Kikuchi et al., "Disappearance of Localized Valence Band Maximum of Ternary Tin Oxide with Pyrochlore Structure, Sn2Nb2O7", J. Phys. Chem. C 121, 9480 (2017).
  • H. Takashima, Y. Inaguma, “Near-infrared luminescence in perovskite BaSnO3 epitaxial films”, Appl. Phys. Lett. 111, 091903 (2017).